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  •     20,深圳稳压二极管质量好的.根据实施方案19所述的有机发光二极管,其中所述第二磷光掺杂剂相对于所述第二延迟荧光掺杂剂的重量百分比在%至%的范围内。21.一种有机发光显示装置,包括:基板;有机发光二极管,所述有机发光二极管在所述基板上或在所述基板上方并且包括:电极;面向所述电极的第二电极;以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在所述电极与所述第二电极之间的发光材料层;以及布置在所述基板与所述有机发光二极管之间并与所述有机发光二极管连接的薄膜晶体管,其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5%。22.根据实施方案20所述的有机发光显示装置,还包括:布置在所述基板与所述有机发光二极管之间或在所述有机发光二极管上方的滤色器层。23.一种照明装置,深圳稳压二极管质量好的,包括:基板;以及有机发光二极管,深圳稳压二极管质量好的,所述有机发光二极管在所述基板上或在所述基板上方并且包括:电极;面向所述电极的第二电极;以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在所述电极与所述第二电极之间的发光材料层,其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5%。强茂稳压二极管原装现货。深圳稳压二极管质量好的

        显示装置300包括:其中限定有红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310与第二基板370之间的oledd2和在oledd2与第二基板370之间的滤色器层380。oledd2向滤色器层380提供白光。基板310和第二基板370各自可以为玻璃基板或塑料基板。例如,基板310和第二基板370各自可以为聚酰亚胺基板。在基板上形成有缓冲层320,以及在红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp中的每一者的缓冲层320上形成有薄膜晶体管(tft)tr。缓冲层320可以省略。在缓冲层320上形成有半导体层322。半导体层322可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。当半导体层322包含氧化物半导体材料时,可以在半导体层322下方形成光屏蔽图案(未示出)。到半导体层322的光被光屏蔽图案屏蔽或阻挡,使得可以防止半导体层322的热降解。另一方面,当半导体层322包含多晶硅时,可以在半导体层322的两侧中掺杂杂质。在半导体层322上形成有栅极绝缘层324。栅极绝缘层324可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在栅极绝缘层324上形成有由导电材料(例如金属)形成的栅极电极330以与半导体层322的中心相对应。在图6中,栅极绝缘层324形成在基板310的整个表面上。或者。深圳稳压二极管质量好的华强北强茂正规代理商。

        其漏极连接十一pmos管、十三pmos管、十五pmos管和十七pmos管的栅极以及四电阻的一端;七nmos管的漏极连接五nmos管的源极,其源极连接八nmos管、三nmos管和四nmos管的源极并接地;十pmos管的栅极连接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的栅极、十一pmos管的漏极和四电阻的另一端,其源极连接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的源极并连接电源电压,其漏极连接十一pmos管的源极;十二pmos管的漏极连接十三pmos管的源极,十四pmos管的漏极连接十五pmos管的源极,十六pmos管的漏极连接十七pmos管的源极;十八pmos管的栅极作为所述一运算放大器的正相输入端,其源极连接十九pmos管的源极和十三pmos管的漏极,其漏极连接一nmos管的源极和三nmos管的漏极;十九pmos管的栅极作为所述一运算放大器的反相输入端,其漏极连接二nmos管的源极和四nmos管的漏极;三nmos管的栅极连接四nmos管的栅极以及十五pmos管和一nmos管的漏极;二nmos管的栅极连接一nmos管的栅极以及一偏置电压,其漏极连接十七pmos管的漏极并作为所述一运算放大器的输出端。本发明的有益效果为:本发明提出的雪崩光电二极管偏压调节电路利用运放在像素外构建偏置电压产生电路。

        附图说明此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一;图2是根据发明实施例的压降和温度的初始工作统计示意图;图3是根据发明实施例的压降和电流的初始工作统计示意图;图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二;图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图;图6是根据本发明实施例的热敏电阻ntc温度采集电路的示意图;图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图。具体实施方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是,在不矛盾的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明的实施例提供了一种发光二极管的控制系统,图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一,如图1所示,该系统包括:发光二极管11、驱动板12、电压采集电路13、温度采集电路14和微控制器15;该温度采集电路14获取该发光二极管11良好温度值,并发送给该微控制器15;该电压采集电路14获取该发光二极管11的压差值。强茂二极管原装现货。

        其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的宽长比之比为1:1:2:4;六pmos管、七pmos管和八pmos管的栅极均连接一pmos管的栅极,其源极均连接电源电压,其漏极分别通过一开关、二开关和三开关后连接所述一电流镜单元的输出端。具体的,所述二电流镜单元包括九pmos管,九pmos管的栅极连接三pmos管的栅极,其源极连接电源电压,其漏极连接所述二电流镜单元的输出端。具体的,所述一运算放大器的输出端和一pmos管的栅极之间还设置有一电平位移电路,所述二运算放大器的输出端和三pmos管的栅极之间还设置有二电平位移电路。具体的,所述一运算放大器和二运算放大器均采用折叠式共源共栅运放结构,所述一运算放大器包括十pmos管、十一pmos管、十二pmos管、十三pmos管、十四pmos管、十五pmos管、十六pmos管、十七pmos管、十八pmos管、十九pmos管、一nmos管、二nmos管、三nmos管、四nmos管、五nmos管、六nmos管、七nmos管、八nmos管和四电阻,其中十八pmos管和十九pmos管作为所述一运算放大器的输入对管,其衬底均连接电源电压;六nmos管的栅极连接七nmos管和八nmos管的栅极以及五nmos管的栅极和漏极并连接基准电流,其源极连接八nmos管的漏极。强茂整流二极管原装现货。深圳稳压二极管质量好的

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        2.根据实施方案1所述的有机发光二极管,其中所述延迟荧光掺杂剂具有比较大发射波长,以及所述磷光掺杂剂具有比所述比较大发射波长更长的第二比较大发射波长。3.根据实施方案2所述的有机发光二极管,其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比在%至%的范围内。4.根据实施方案3所述的有机发光二极管,其中所述磷光掺杂剂相对于所述延迟荧光掺杂剂的重量百分比在%至%的范围内。5.根据实施方案1所述的有机发光二极管,其中所述延迟荧光掺杂剂由式1表示:[式1]其中r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺,以及其中m为2至5的整数,n为1至3的整数,以及m+n小于或等于6。6.根据实施方案5所述的有机发光二极管,其中所述延迟荧光掺杂剂选自式2:[式2]7.根据实施方案1所述的有机发光二极管,其中所述延迟荧光掺杂剂由式3表示:[式3]其中r1至r8各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。深圳稳压二极管质量好的

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